Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
40 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Type de boîtier
A-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
82 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
48 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.9mm
Longueur
10.63mm
Charge de Grille type @ Vgs
70 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.3V
Taille
16.12mm
Pays d'origine
China
€ 137,68
€ 2,754 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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N
Courant continu de Drain maximum
40 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Type de boîtier
A-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
82 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
48 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.9mm
Longueur
10.63mm
Charge de Grille type @ Vgs
70 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.3V
Taille
16.12mm
Pays d'origine
China