Transistor MOSFET onsemi canal P, SOT-23 1,3 A 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
1.3 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
220 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
0,4 W
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Charge de Grille type @ Vgs
5,5 nC @ 4 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Largeur
1.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
0.94mm
Détails du produit
MOSFETs - P-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
2
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P
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TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
220 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
0,4 W
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Charge de Grille type @ Vgs
5,5 nC @ 4 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Largeur
1.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
0.94mm
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MOSFETs - P-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
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