MOSFET onsemi canal P, SOT-23 1,3 A 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
1.3 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
350 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.25V
Dissipation de puissance maximum
0,4 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
3,1 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Largeur
1.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.01mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal P, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 31,82
€ 0,08 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
400
€ 31,82
€ 0,08 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
400
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 400 - 800 | € 0,08 | € 15,91 |
| 1000 - 1800 | € 0,075 | € 15,00 |
| 2000+ | € 0,069 | € 13,86 |
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P
Courant continu de Drain maximum
1.3 A
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20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
350 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.25V
Dissipation de puissance maximum
0,4 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
3,1 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Largeur
1.4mm
Température de fonctionnement minimum
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Hauteur
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