MOSFET onsemi canal P, SOT-23 1 A 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
1 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
180 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.3V
Dissipation de puissance maximum
0,4 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
2,5 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
0.94mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal P, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 4,55
€ 0,227 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
20
€ 4,55
€ 0,227 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
20
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 20 - 198 | € 0,227 | € 0,46 |
| 200 - 998 | € 0,199 | € 0,40 |
| 1000 - 1998 | € 0,17 | € 0,34 |
| 2000+ | € 0,159 | € 0,32 |
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P
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1 A
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Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
180 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.3V
Dissipation de puissance maximum
0,4 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
2,5 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
0.94mm
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