MOSFET onsemi canal N, SOT-23 560 mA 30 V, 3 broches

N° de stock RS: 790-5283PMarque: onsemiN° de pièce Mfr: NTR4003NT1G
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

560 mA

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Type de boîtier

SOT-23, TO-236

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

2 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1.4V

Dissipation de puissance maximum

690 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

1.4mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

3.04mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Charge de Grille type @ Vgs

1,15 nC @ 5 V

Hauteur

1.01mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 30 V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

€ 33,53

€ 0,067 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET onsemi canal N, SOT-23 560 mA 30 V, 3 broches
Sélectionner le type d'emballage

€ 33,53

€ 0,067 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET onsemi canal N, SOT-23 560 mA 30 V, 3 broches

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Sélectionner le type d'emballage

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

QuantitéPrix unitairePar Bobine
500 - 900€ 0,067€ 6,70
1000+€ 0,058€ 5,80

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

560 mA

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Type de boîtier

SOT-23, TO-236

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

2 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1.4V

Dissipation de puissance maximum

690 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

1.4mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

3.04mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Charge de Grille type @ Vgs

1,15 nC @ 5 V

Hauteur

1.01mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 30 V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus