Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
560 mA
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.4V
Dissipation de puissance maximum
0,83 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
29 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 30 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 49,44
€ 0,099 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
500
€ 49,44
€ 0,099 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
500
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 500 - 950 | € 0,099 | € 4,94 |
| 1000 - 2450 | € 0,085 | € 4,26 |
| 2500 - 4950 | € 0,075 | € 3,75 |
| 5000+ | € 0,068 | € 3,41 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
560 mA
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.4V
Dissipation de puissance maximum
0,83 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
29 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


