MOSFET onsemi canal N, SOT-23 560 mA 30 V, 3 broches

N° de stock RS: 780-4742PMarque: onsemiN° de pièce Mfr: NTR4003NT3G
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Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

560 mA

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Type de boîtier

SOT-23, TO-236

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

2 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1.4V

Dissipation de puissance maximum

0,83 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

1.4mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

3.04mm

Charge de Grille type @ Vgs

29 nC @ 4,5 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

1.01mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 30 V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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€ 0,099 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Bobine
500 - 950€ 0,099€ 4,94
1000 - 2450€ 0,085€ 4,26
2500 - 4950€ 0,075€ 3,75
5000+€ 0,068€ 3,41

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N

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SOT-23, TO-236

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

2 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1.4V

Dissipation de puissance maximum

0,83 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

1.4mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

3.04mm

Charge de Grille type @ Vgs

29 nC @ 4,5 V

Température d'utilisation maximum

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Hauteur

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