MOSFET onsemi canal N, SOT-23 2,4 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2.4 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
110 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.4V
Tension de seuil minimale de la grille
0.6V
Dissipation de puissance maximum
480 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±12 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
4,76 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1V
Hauteur
1.01mm
Pays d'origine
China
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€ 289,81
€ 0,097 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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CMS
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3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.4V
Tension de seuil minimale de la grille
0.6V
Dissipation de puissance maximum
480 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±12 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
4,76 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
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