MOSFET onsemi canal P, SOT-23 3,5 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3.5 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
150 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.4V
Dissipation de puissance maximum
1.25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
15,6 nC @ 10 V, 7,4 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal P, 30 V à 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 7,44
€ 0,298 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
25
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
25
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 25 - 75 | € 0,298 | € 7,44 |
| 100 - 225 | € 0,256 | € 6,40 |
| 250 - 475 | € 0,223 | € 5,57 |
| 500 - 975 | € 0,196 | € 4,90 |
| 1000+ | € 0,178 | € 4,44 |
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P
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3.5 A
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Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
150 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.4V
Dissipation de puissance maximum
1.25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
15,6 nC @ 10 V, 7,4 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
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