MOSFET onsemi canal P, SOT-23 1,9 A 30 V, 3 broches

N° de stock RS: 773-7897Marque: onsemiN° de pièce Mfr: NTR4502PT1G
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Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

1.9 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Type de boîtier

SOT-23, TO-236

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

350 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

1.25 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Matériau du transistor

Si

Largeur

1.3mm

Longueur

2.9mm

Charge de Grille type @ Vgs

6 nC @ 10 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Température d'utilisation maximum

150 °C

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Hauteur

1mm

Détails du produit

Transistor MOSFET de puissance à canal P, 30 V à 500 V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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€ 1,88

€ 0,188 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

MOSFET onsemi canal P, SOT-23 1,9 A 30 V, 3 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 10
10€ 1,88
20€ 3,75
30€ 5,63
40€ 7,50
50€ 9,38
60€ 11,25
70€ 13,13
80€ 15,00
90€ 16,88
100€ 16,14
110€ 17,75
120€ 19,37
130€ 20,98
140€ 22,59
150€ 24,21

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
10 - 90€ 0,188€ 1,88
100 - 240€ 0,161€ 1,61
250 - 490€ 0,14€ 1,40
500 - 990€ 0,123€ 1,23
1000+€ 0,113€ 1,12

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SOT-23, TO-236

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3

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Dissipation de puissance maximum

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Configuration du transistor

Single

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±20 V

Matériau du transistor

Si

Largeur

1.3mm

Longueur

2.9mm

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1

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150 °C

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