MOSFET onsemi canal P, SOT-323 1,5 A 8 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
1.5 A
Tension Drain Source maximum
8 V
Type de boîtier
SOT-323
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
210 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.45V
Dissipation de puissance maximum
330 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
6,4 nC @ 5 V
Hauteur
0.9mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal P, 8 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 2,81
€ 0,113 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
25
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 25 - 75 | € 0,113 | € 2,81 |
| 100 - 225 | € 0,097 | € 2,42 |
| 250 - 475 | € 0,084 | € 2,10 |
| 500 - 975 | € 0,074 | € 1,85 |
| 1000+ | € 0,067 | € 1,68 |
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CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
210 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.45V
Dissipation de puissance maximum
330 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
6,4 nC @ 5 V
Hauteur
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