Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
1.5 A
Tension Drain Source maximum
8 V
Type de boîtier
SOT-323
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
210 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.45V
Dissipation de puissance maximum
330 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
6,4 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.35mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
0.9mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal P, 8 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 22,79
€ 0,228 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 22,79
€ 0,228 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
100 - 225 | € 0,228 | € 5,70 |
250 - 475 | € 0,198 | € 4,94 |
500 - 975 | € 0,173 | € 4,32 |
1000+ | € 0,158 | € 3,94 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
1.5 A
Tension Drain Source maximum
8 V
Type de boîtier
SOT-323
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
210 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.45V
Dissipation de puissance maximum
330 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
6,4 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.35mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
0.9mm
Détails du produit