MOSFET onsemi canal P, SOT-323 1,37 A 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
1.37 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type d'emballage
SOT-323
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
160 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
329 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.35mm
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
6,4 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
0.9mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal P, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 173,40
€ 0,058 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
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Configuration du transistor
Single
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1
Largeur
1.35mm
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
6,4 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
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