MOSFET onsemi canal P, SOT-323 1,3 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
1.3 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-323
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
280 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
350 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
10,1 nC @ 10 V, 4,8 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
0.9mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal P, 30 V à 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 6,71
€ 0,268 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Standard
25
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
25
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bande |
|---|---|---|
| 25 - 75 | € 0,268 | € 6,70 |
| 100 - 225 | € 0,231 | € 5,77 |
| 250 - 475 | € 0,20 | € 5,00 |
| 500 - 975 | € 0,176 | € 4,40 |
| 1000+ | € 0,16 | € 4,01 |
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P
Courant continu de Drain maximum
1.3 A
Tension Drain Source maximum
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Type de boîtier
SOT-323
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
280 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
350 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
10,1 nC @ 10 V, 4,8 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
0.9mm
Température de fonctionnement minimum
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