Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
280 mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-963
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
4,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
0.2 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Largeur
0.85mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
1.05mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 11,08
€ 0,443 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
25
€ 11,08
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Paquet de production (Bobine)
25
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onsemiType de canal
N
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280 mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-963
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
4,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
0.2 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Largeur
0.85mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
1.05mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit