Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
83 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
4.2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
56 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.22mm
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
32 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
2.25mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Pays d'origine
Vietnam
€ 13,33
€ 1,333 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 13,33
€ 1,333 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
10 - 90 | € 1,333 | € 13,33 |
100 - 240 | € 1,149 | € 11,49 |
250+ | € 0,996 | € 9,96 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
83 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
4.2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
56 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.22mm
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
32 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
2.25mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Pays d'origine
Vietnam