MOSFET onsemi canal N, DFN 370 A 40 V, 4 + Tab broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
370 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de boîtier
DFN EP
Séries
NVMFS5C404NL
Type de montage
CMS
Nombre de broche
4 + Tab
Résistance Drain Source maximum
1 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
200000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.1mm
Longueur
5.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
181 nC @ 10 V
Standard automobile
AEC-Q101
Hauteur
1.05mm
Tension directe de la diode
1.2V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 40 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 3 046,82
€ 2,031 Each (On a Reel of 1500) (hors TVA)
1500
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Single
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Largeur
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Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
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Hauteur
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