MOSFET onsemi canal N, DFN 287 A 60 V, 4 + Tab broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
287 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
NVMFS5C604NL
Type de conditionnement
DFN EP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
4 + Tab
Résistance Drain Source maximum
1,7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
200000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.1mm
Longueur
5.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
120 nF @ 10 V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
1.05mm
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 3 970,86
€ 2,647 Each (On a Reel of 1500) (hors TVA)
1500
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Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
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1
Largeur
6.1mm
Longueur
5.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
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