Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
68,5 A
Tension Drain Source maximum
80 V
Série
NVTFS6H850N
Type de conditionnement
WDFN
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
9,5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
107 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
3.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Standard automobile
AEC-Q101
Hauteur
0.75mm
€ 17,13
€ 0,685 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
€ 17,13
€ 0,685 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
25 - 75 | € 0,685 | € 17,13 |
100 - 225 | € 0,591 | € 14,78 |
250+ | € 0,512 | € 12,79 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
68,5 A
Tension Drain Source maximum
80 V
Série
NVTFS6H850N
Type de conditionnement
WDFN
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
9,5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
107 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
3.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Standard automobile
AEC-Q101
Hauteur
0.75mm