MOSFET onsemi canal N, DPAK (TO-252) 18 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
18 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
UltraFET
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
75 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
49 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-16 V, +16 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.22mm
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
12 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
2.39mm
Détails du produit
Transistor MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor
Le transistor MOSFET à tranchée UItraFET® regroupe des caractéristiques offrant une efficacité dans les tests d'applications de conversion de puissance. Le circuit est capable de résister aux pics de tension en mode avalanche, et la diode présente un temps de recouvrement inverse et une charge emmagasinée faibles. Optimisé pour efficacité à hautes fréquences, RDS(on) les plus faibles, ESR faible, et faible charge de grille totale et Miller.
Les applications de convertisseurs c.c./c.c. à haute fréquence, de régulateurs à découpage, de commandes de moteur, de commutateurs de bus basse tension et de gestion d'alimentation.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 937,96
€ 0,375 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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3
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Tension de seuil minimale de la grille
1V
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Single
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1
Largeur
6.22mm
Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
12 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
2.39mm
Détails du produit
Transistor MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor
Le transistor MOSFET à tranchée UItraFET® regroupe des caractéristiques offrant une efficacité dans les tests d'applications de conversion de puissance. Le circuit est capable de résister aux pics de tension en mode avalanche, et la diode présente un temps de recouvrement inverse et une charge emmagasinée faibles. Optimisé pour efficacité à hautes fréquences, RDS(on) les plus faibles, ESR faible, et faible charge de grille totale et Miller.
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