Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
7.6 A
Tension Drain Source maximum
1 200 V
Série
UF3
Type de boîtier
TO247-3
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
Pays d'origine
Switzerland
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
2
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
2
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
7.6 A
Tension Drain Source maximum
1 200 V
Série
UF3
Type de boîtier
TO247-3
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
Pays d'origine
Switzerland


