MOSFET canal Type N Renesas Electronics 4 A 1500 V Enrichissement, 3 broches, TO-3PN Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
Renesas ElectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
4A
Tension Drain Source maximum Vds
1500V
Type de Boitier
TO-3PN
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
4.6Ω
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
20.1 mm
Longueur
15.9mm
Hauteur
5mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
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Prix sur demande
Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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Dissipation de puissance maximum Pd
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Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
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