Transistor, NPN Complexe, 30 mA, 8 V, SOIC, 8 broches Hex
Documents techniques
Spécifications
Brand
Renesas ElectronicsType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
30 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
8 V
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Configuration du transistor
Complex
Tension Collecteur Base maximum
12 V
Tension Emetteur Base maximum
5.5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
10000 MHz
Nombre de broches
8
Nombre d'éléments par circuit
6
Température de fonctionnement maximum
85 °C
Dimensions
1.5 x 5 x 4mm
Détails du produit
Réseaux de transistors UHF à cellule de Gilbert, Intersil
Bipolar Transistors, Intersil
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Paquet de production (Tube)
1
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