Documents Techniques
Spécifications
Brand
Renesas ElectronicsType du produit
Photocoupler
Type de montage
En surface
Type de sortie
Phototransistor
Tension directe maximum
1.4V
Nombre de voies
1
Emballage
Porte-revues
Nombre de broches
4
Type de Boitier
Gull Wing
Type de courant d'entrée
CC
Temps de Montée
3μs
Courant d'entrée maximum
400mA
Tension d'isolement
5000Vrms
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Taux de transfert de courant maximum
400%
Température d'utilisation maximum
110°C
Temps de chute
5μs
Taux de transfert de courant minimum
50%
Normes/homologations
EN, CSA, UL
Série
PS
Standard automobile
No
Détails du produit
L'isolateur couplé optiquement de Renesas Electronics contient une diode électroluminescente GaAs et un phototransistor en silicium NPN. Il est doté d'une tension d'isolation élevée.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 28,61
€ 0,572 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
50
€ 28,61
€ 0,572 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,572 | € 14,30 |
| 75 - 75 | € 0,561 | € 14,04 |
| 100 - 175 | € 0,386 | € 9,66 |
| 200+ | € 0,372 | € 9,30 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
Renesas ElectronicsType du produit
Photocoupler
Type de montage
En surface
Type de sortie
Phototransistor
Tension directe maximum
1.4V
Nombre de voies
1
Emballage
Porte-revues
Nombre de broches
4
Type de Boitier
Gull Wing
Type de courant d'entrée
CC
Temps de Montée
3μs
Courant d'entrée maximum
400mA
Tension d'isolement
5000Vrms
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Taux de transfert de courant maximum
400%
Température d'utilisation maximum
110°C
Temps de chute
5μs
Taux de transfert de courant minimum
50%
Normes/homologations
EN, CSA, UL
Série
PS
Standard automobile
No
Détails du produit
L'isolateur couplé optiquement de Renesas Electronics contient une diode électroluminescente GaAs et un phototransistor en silicium NPN. Il est doté d'une tension d'isolation élevée.
