Mémoire EEPROM parallèle, R1EV5801MBTDRDI#B0, 1Mbit TSOP, 32 broches, 8bit

Brand

Taille mémoire

1Mbit

Type de boîtier

TSOP I

Type de montage

CMS

Nombre de broche

32

Configuration

128 x 8 bits

Tension d'alimentation de fonctionnement minimum

2.7 V

Tension d'alimentation de fonctionnement maximale

5.5 V

Tension de programmation

2.7 → 5.5V

Nombre de bits par mot

8bit

Dimensions

12.4 x 8.2 x 1.02mm

Température de fonctionnement minimum

-40 °C

Température maximale d'utilisation

85 °C

Pays d'origine

Japan