Mémoire EEPROM parallèle, R1EV5801MBTDRDI#B0, 1Mbit TSOP, 32 broches, 8bit
Documents techniques
Spécifications
Brand
Renesas ElectronicsTaille mémoire
1Mbit
Type de boîtier
TSOP I
Type de montage
CMS
Nombre de broche
32
Configuration
128 x 8 bits
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2.7 V
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
5.5 V
Tension de programmation
2.7 → 5.5V
Nombre de bits par mot
8bit
Dimensions
12.4 x 8.2 x 1.02mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
85 °C
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
EEPROM avec accès parallèle, Renesas Electronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1
Documents techniques
Spécifications
Brand
Renesas ElectronicsTaille mémoire
1Mbit
Type de boîtier
TSOP I
Type de montage
CMS
Nombre de broche
32
Configuration
128 x 8 bits
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2.7 V
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
5.5 V
Tension de programmation
2.7 → 5.5V
Nombre de bits par mot
8bit
Dimensions
12.4 x 8.2 x 1.02mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
85 °C
Pays d'origine
Japan
Détails du produit