N-Channel MOSFET, 200 mA, 30 V, 3-Pin SC-59 ROHM 2SK2731T146
Documents techniques
Spécifications
Brand
ROHMType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
200 mA
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SMini
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2.8 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
0.2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.9mm
Largeur
1.6mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
1.1mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
Transistors MOSFET canal N, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
10
Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
ROHMType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
200 mA
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SMini
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2.8 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
0.2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.9mm
Largeur
1.6mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
1.1mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
Transistors MOSFET canal N, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.