Module d'alimentation en carbure de silicium ROHM canal N, C 120 A 1200 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ROHMType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
120 A
Tension Drain Source maximum
1200 V
Séries
BSM
Type de conditionnement
c
Type de montage
CMS
Nombre de broche
4
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
1.6V
Dissipation de puissance maximum
935 W
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
45.6mm
Matériau du transistor
SiC
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
122mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Taille
17mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
SiC Power Modules, ROHM
The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
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€ 403,94
€ 403,94 Each (hors TVA)
1
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1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 4 | € 403,94 |
| 5 - 9 | € 393,44 |
| 10 - 24 | € 383,34 |
| 25+ | € 373,65 |
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N
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c
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CMS
Nombre de broche
4
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
1.6V
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Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
45.6mm
Matériau du transistor
SiC
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
122mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Taille
17mm
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Japan
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