Module d'alimentation en carbure de silicium ROHM canal N, C 180 A 1200 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ROHMType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
180 A
Tension Drain Source maximum
1200 V
Séries
BSM
Type d'emballage
c
Type de montage
CMS
Nombre de broche
4
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5.6V
Tension de seuil minimale de la grille
2.7V
Dissipation de puissance maximum
880 W
Largeur
45.6mm
Longueur
122mm
Nombre d'éléments par circuit
2
Matériau du transistor
SiC
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
17mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
SiC Power Modules, ROHM
The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
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€ 627,54
€ 627,54 Each (hors TVA)
1
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 1 | € 627,54 |
| 2 - 4 | € 611,03 |
| 5 - 9 | € 595,37 |
| 10+ | € 580,48 |
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
4
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5.6V
Tension de seuil minimale de la grille
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Largeur
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Longueur
122mm
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2
Matériau du transistor
SiC
Température d'utilisation maximum
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Hauteur
17mm
Température de fonctionnement minimum
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Pays d'origine
Japan
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The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.
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