Module d'alimentation en carbure de silicium 2 canal Type N ROHM Enrichissement, 4 broches BSM
Documents techniques
Spécifications
Brand
ROHMType de produit
Module d'alimentation en carbure de silicium
Type de canal
Type N
Série
BSM
Nombre de broches
4
Mode de canal
Enrichissement
Température de fonctionnement minimale
80°C
Température d'utilisation maximum
60°C
Largeur
45.6mm
Longueur
122mm
Hauteur
17mm
Nombre d'éléments par circuit
2
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
SiC Power Modules, ROHM
The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
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€ 628,09
€ 628,09 Each (hors TVA)
1
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1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 1 | € 628,09 |
| 2 - 4 | € 611,56 |
| 5 - 9 | € 595,88 |
| 10+ | € 580,98 |
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Type N
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4
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Température de fonctionnement minimale
80°C
Température d'utilisation maximum
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Largeur
45.6mm
Longueur
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Hauteur
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