Documents techniques
Spécifications
Brand
ROHMType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
25 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Séries
RSJ250P10
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
70 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
50 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
9mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
60 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
4.5mm
Tension directe de la diode
1.2V
Pays d'origine
Korea, Republic Of
Détails du produit
Transistors MOSFET canal P, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
€ 9,48
€ 1,896 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 9,48
€ 1,896 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,896 | € 9,48 |
25 - 45 | € 1,531 | € 7,66 |
50 - 120 | € 1,456 | € 7,28 |
125 - 245 | € 1,379 | € 6,90 |
250+ | € 1,225 | € 6,12 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
ROHMType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
25 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Séries
RSJ250P10
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
70 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
50 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
9mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
60 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
4.5mm
Tension directe de la diode
1.2V
Pays d'origine
Korea, Republic Of
Détails du produit