MOSFET ROHM canal N, SOT-323 100 mA 20 V, 3 broches

N° de stock RS: 124-6834Marque: ROHMN° de pièce Mfr: RU1C001UNTCL
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Brand

ROHM

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

100 mA

Tension Drain Source maximum

20 V (canal N), -20 V (canal P)

Type de conditionnement

SOT-323

Séries

RU1C001UN

Type de montage

CMS

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum

18Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1V

Tension de seuil minimale de la grille

0.3V

Dissipation de puissance maximum

0,15 W

Tension Grille Source maximum

-8 V, +8 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

1.35mm

Longueur

2.1mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.2V

Taille

1mm

Pays d'origine

Thailand

Détails du produit

Transistors MOSFET canal N, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

€ 9,47

€ 0,063 Each (In a Pack of 150) (hors TVA)

MOSFET ROHM canal N, SOT-323 100 mA 20 V, 3 broches

€ 9,47

€ 0,063 Each (In a Pack of 150) (hors TVA)

MOSFET ROHM canal N, SOT-323 100 mA 20 V, 3 broches
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Veuillez vérifier à nouveau plus tard.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Brand

ROHM

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

100 mA

Tension Drain Source maximum

20 V (canal N), -20 V (canal P)

Type de conditionnement

SOT-323

Séries

RU1C001UN

Type de montage

CMS

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum

18Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1V

Tension de seuil minimale de la grille

0.3V

Dissipation de puissance maximum

0,15 W

Tension Grille Source maximum

-8 V, +8 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

1.35mm

Longueur

2.1mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.2V

Taille

1mm

Pays d'origine

Thailand

Détails du produit

Transistors MOSFET canal N, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus