Documents techniques
Spécifications
Brand
ROHMType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
200 mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Séries
RZM002P02
Type de conditionnement
SOT-723
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
9,6 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
0.3V
Dissipation de puissance maximum
0,15 W
Tension Grille Source maximum
-10 V, +10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
0.9mm
Longueur
1.3mm
Charge de Grille type @ Vgs
1,4 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
0.45mm
Détails du produit
Transistors MOSFET canal P, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
€ 7,54
€ 0,101 Each (In a Pack of 75) (hors TVA)
75
€ 7,54
€ 0,101 Each (In a Pack of 75) (hors TVA)
75
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Documents techniques
Spécifications
Brand
ROHMType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
200 mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Séries
RZM002P02
Type de conditionnement
SOT-723
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
9,6 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
0.3V
Dissipation de puissance maximum
0,15 W
Tension Grille Source maximum
-10 V, +10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
0.9mm
Longueur
1.3mm
Charge de Grille type @ Vgs
1,4 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
0.45mm
Détails du produit