SiC Mos 1200V 17mOhm
Documents techniques
Spécifications
Brand
StarpowerType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
118 A
Tension Drain Source maximum
1200 V
Type de boîtier
Discrete
Séries
DM Series
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Mode de canal
Enrichissement
Matériau du transistor
SiC
Nombre d'éléments par circuit
1
Pays d'origine
China
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€ 19,59
€ 19,59 Each (hors TVA)
1
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 19,59 |
| 10 - 99 | € 17,63 |
| 100+ | € 16,26 |
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