Transistor MOSFET STMicroelectronics canal N, SOT-23 200 mA 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
200 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-23
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Maximální ztrátový výkon
350 mW
Tension Grille Source maximum
-18 V, +18 V
Charge de Grille type @ Vgs
1,4 nC @ 5 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Longueur
3.03mm
Largeur
1.73mm
Série
STripFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.2mm
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
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Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Maximální ztrátový výkon
350 mW
Tension Grille Source maximum
-18 V, +18 V
Charge de Grille type @ Vgs
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Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
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