Transistor MOSFET STMicroelectronics canal N, SOT-23 200 mA 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
350 mW
Maximum Gate Source Voltage
-18 V, +18 V
Typical Gate Charge @ Vgs
1.4 nC @ 5 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.03mm
Width
1.73mm
Series
STripFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.2mm
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
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N
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60 V
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Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
350 mW
Maximum Gate Source Voltage
-18 V, +18 V
Typical Gate Charge @ Vgs
1.4 nC @ 5 V
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1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
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