Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Kit de développement
Fonction de gestion de l'alimentation
Power Management
Pour utilisation avec
Commande d'une charge monophasée en pont complet
Classification du kit
Evaluation Board
Dispositif
LPWD5F60
Nom du kit
Demonstration Board
Normes/homologations
RoHS
Pays d'origine
Italy
Détails du produit
Le PWD5F60 est un système d'alimentation Advanced dans un boîtier intégrant des drivers de grille et quatre MOSFET de puissance à canal N dans un boîtier QFN compact. Les transistors MOSFET de puissance intégrés sont dotés d'un RDS(ON) de 1,38 Ω et d'une tension de coupure source de drain de 600 V. Les drivers de grille intégrés sont dotés de deux comparateurs qui peuvent être utilisés pour la commande de Peak Current ou la protection contre les surintensités et intègrent des diodes d'amorçage. Cela permet de commander efficacement des charges dans un petit espace et de réduire considérablement les composants externes et la nomenclature. L'EVALPWD5F60 démontre comment utiliser le PWD5F60 pour piloter une charge monophasée dans une topologie à pont complet. Cela permet de contrôler à la fois la direction et la valeur du courant circulant dans la charge. Les applications typiques qui peuvent bénéficier d'une intégration élevée du PWD5F60 sont, par exemple, des moteurs BLDC monophasés et des ventilateurs.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Kit de développement
Fonction de gestion de l'alimentation
Power Management
Pour utilisation avec
Commande d'une charge monophasée en pont complet
Classification du kit
Evaluation Board
Dispositif
LPWD5F60
Nom du kit
Demonstration Board
Normes/homologations
RoHS
Pays d'origine
Italy
Détails du produit
Le PWD5F60 est un système d'alimentation Advanced dans un boîtier intégrant des drivers de grille et quatre MOSFET de puissance à canal N dans un boîtier QFN compact. Les transistors MOSFET de puissance intégrés sont dotés d'un RDS(ON) de 1,38 Ω et d'une tension de coupure source de drain de 600 V. Les drivers de grille intégrés sont dotés de deux comparateurs qui peuvent être utilisés pour la commande de Peak Current ou la protection contre les surintensités et intègrent des diodes d'amorçage. Cela permet de commander efficacement des charges dans un petit espace et de réduire considérablement les composants externes et la nomenclature. L'EVALPWD5F60 démontre comment utiliser le PWD5F60 pour piloter une charge monophasée dans une topologie à pont complet. Cela permet de contrôler à la fois la direction et la valeur du courant circulant dans la charge. Les applications typiques qui peuvent bénéficier d'une intégration élevée du PWD5F60 sont, par exemple, des moteurs BLDC monophasés et des ventilateurs.