MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-220 9 A Enrichissement 200 V, 3 broches IRF630
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
9A
Tension Drain Source maximum Vds
200V
Type de Boitier
TO-220
Séries
STripFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
400mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
75W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
31nC
Tension directe Vf
1.5V
Température de fonctionnement maximale
150°C
Largeur
4.6 mm
Hauteur
9.15mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 7,10
€ 1,421 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 7,10
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,421 | € 7,10 |
| 25 - 45 | € 1,352 | € 6,76 |
| 50 - 120 | € 1,217 | € 6,08 |
| 125 - 245 | € 1,093 | € 5,46 |
| 250+ | € 1,038 | € 5,19 |
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Type N
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Séries
STripFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
400mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
75W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
31nC
Tension directe Vf
1.5V
Température de fonctionnement maximale
150°C
Largeur
4.6 mm
Hauteur
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