TRANSISTOR MOSFET CANAL N - IRF640

N° de stock RS: 485-9165Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: IRF640
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Documents techniques

Spécifications

Brand

STMicroelectronics

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

18 A

Tension Drain Source maximum

200 V

Type de boîtier

TO-220

Type de fixation

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum

180 mΩ

Mode de canal

Enhancement

Dissipation de puissance maximum

125 W

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Température de fonctionnement maximum

150 °C

Longueur

10.4mm

Charge de Grille type @ Vgs

55 nC @ 10 V

Hauteur

15.75mm

Largeur

4.6mm

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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Prix ​​sur demande

Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

TRANSISTOR MOSFET CANAL N - IRF640

5

Disponible en multiples de 5
5Prix ​​sur demande
10Prix ​​sur demande
15Prix ​​sur demande
20Prix ​​sur demande
25Prix ​​sur demande
30Prix ​​sur demande
35Prix ​​sur demande
40Prix ​​sur demande
45Prix ​​sur demande
50Prix ​​sur demande
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60Prix ​​sur demande
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TO-220

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Through Hole

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3

Résistance Drain Source maximum

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Mode de canal

Enhancement

Dissipation de puissance maximum

125 W

Tension Grille Source maximum

±20 V

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1

Température de fonctionnement maximum

150 °C

Longueur

10.4mm

Charge de Grille type @ Vgs

55 nC @ 10 V

Hauteur

15.75mm

Largeur

4.6mm

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