Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET RF
Type de canal
Type N
Fréquence de fonctionnement
500 MHz
Courant continu de Drain maximum Id
2.5A
Tension Drain Source maximum Vds
40V
Type de Boitier
PowerFLAT
Séries
PD55003L-E
Type de montage
Surface
Nombre de broches
14
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnement
150°C
Température d'utilisation maximum
-65°C
Configuration du transistor
Single
Largeur
5 mm
Hauteur
0.88mm
Longueur
5mm
Normes/homologations
No
Gain en puissance typique
19dB
Standard automobile
No
Détails du produit
Transistors MOSFET RF, STMicroelectronics
Les transistors à fréquence radio sont adaptés aux LDMOS pour les liaisons satellite montantes à bande L et les transistors de puissance DMOS dans des applications allant de 1 MHz à 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 31,87
€ 6,37 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
5
€ 31,87
€ 6,37 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
5
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 5 - 9 | € 6,37 |
| 10 - 24 | € 6,22 |
| 25 - 49 | € 6,04 |
| 50+ | € 5,88 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET RF
Type de canal
Type N
Fréquence de fonctionnement
500 MHz
Courant continu de Drain maximum Id
2.5A
Tension Drain Source maximum Vds
40V
Type de Boitier
PowerFLAT
Séries
PD55003L-E
Type de montage
Surface
Nombre de broches
14
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnement
150°C
Température d'utilisation maximum
-65°C
Configuration du transistor
Single
Largeur
5 mm
Hauteur
0.88mm
Longueur
5mm
Normes/homologations
No
Gain en puissance typique
19dB
Standard automobile
No
Détails du produit
Transistors MOSFET RF, STMicroelectronics
Les transistors à fréquence radio sont adaptés aux LDMOS pour les liaisons satellite montantes à bande L et les transistors de puissance DMOS dans des applications allant de 1 MHz à 2 GHz.


