MOSFET STMicroelectronics canal N, SOT-89 2 A 40 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de boîtier
SOT-89
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.9V
Dissipation de puissance maximum
6 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-0,5 V, +15 V
Largeur
2.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4.6mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.44mm
Gain en puissance typique
17 dB
Détails du produit
Transistors MOSFET RF, STMicroelectronics
Les transistors à fréquence radio sont adaptés aux LDMOS pour les liaisons satellite montantes à bande L et les transistors de puissance DMOS dans des applications allant de 1 MHz à 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
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Largeur
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Si
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Longueur
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Température d'utilisation maximum
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Taille
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