MOSFET N STMicroelectronics 110 A 900 V Enrichissement, 7 broches, H2PAK-7 SCT AEC-Q101
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
110A
Maximální napětí na zdroji Vds
900V
Type de Boitier
H2PAK-7
Série
SCT
Typ montáže
Surface
Nombre de broche
7
Résistance Drain Source maximum Rds
12mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
138nC
Dissipation de puissance maximum Pd
625W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
2.8V
Maximální provozní teplota
85°C
Longueur
15.25mm
Höhe
4.8mm
Normes/homologations
RoHS, AEC-Q101
Automobilový standard
Non
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 50,09
€ 50,09 Each (hors TVA)
1
€ 50,09
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1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 50,09 |
| 10+ | € 45,08 |
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H2PAK-7
Série
SCT
Typ montáže
Surface
Nombre de broche
7
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Mode de canal
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
138nC
Dissipation de puissance maximum Pd
625W
Température minimum de fonctionnement
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Tension directe Vf
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Maximální provozní teplota
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