MOSFET STMicroelectronics canal Type N, H2PAK-7 110 A Enrichissement 900 V, 7 broches SCT012H90G3AG
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
110A
Tension Drain Source maximum Vds
900V
Type de Boitier
H2PAK-7
Séries
SCT
Type de montage
Surface
Nombre de broches
7
Résistance Drain Source maximum Rds
12mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
625W
Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
138nC
Tension directe Vf
2.8V
Température maximale d'utilisation
175°C
Largeur
10.4 mm
Hauteur
4.8mm
Longueur
15.25mm
Normes/homologations
RoHS, AEC-Q101
Standard automobile
AEC-Q101
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Paquet de production (Bobine)
1
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
625W
Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
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Température maximale d'utilisation
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Largeur
10.4 mm
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