MOSFET STMicroelectronics canal Type N, H2PAK-7 110 A Enrichissement 900 V, 7 broches SCT012H90G3AG

N° de stock RS: 215-220Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: SCT012H90G3AG
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Documents techniques

Spécifications

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

110A

Tension Drain Source maximum Vds

900V

Type de Boitier

H2PAK-7

Séries

SCT

Type de montage

Surface

Nombre de broches

7

Résistance Drain Source maximum Rds

12mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

625W

Tension maximale de source de la grille Vgs

22 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

138nC

Tension directe Vf

2.8V

Température maximale d'utilisation

175°C

Largeur

10.4 mm

Hauteur

4.8mm

Longueur

15.25mm

Normes/homologations

RoHS, AEC-Q101

Standard automobile

AEC-Q101

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€ 49,68 Each (hors TVA)

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QuantitéPrix unitaire
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Séries

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Surface

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7

Résistance Drain Source maximum Rds

12mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

625W

Tension maximale de source de la grille Vgs

22 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

138nC

Tension directe Vf

2.8V

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10.4 mm

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