MOSFET canal Type N STMicroelectronics 110 A 900 V Enrichissement, 7 broches, H2PAK-7 SCT AEC-Q101
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
110A
Tension Drain Source maximum Vds
900V
Type de Boitier
H2PAK-7
Séries
SCT
Type de montage
Surface
Nombre de broches
7
Résistance Drain Source maximum Rds
12mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
2.8V
Dissipation de puissance maximum Pd
625W
Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
138nC
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
RoHS, AEC-Q101
Largeur
10.4 mm
Hauteur
4.8mm
Longueur
15.25mm
Standard automobile
AEC-Q101
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 49,45
€ 49,45 Each (hors TVA)
1
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1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 49,45 |
| 10+ | € 44,51 |
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H2PAK-7
Séries
SCT
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Surface
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7
Résistance Drain Source maximum Rds
12mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
2.8V
Dissipation de puissance maximum Pd
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Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
138nC
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