MOSFET STMicroelectronics canal N, HiP247-4 110 A 900 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
110 A
Tension Drain Source maximum
900 V
Série
SCT
Type de boîtier
HiP247-4
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Mode de canal
Enrichissement
Matériau du transistor
SiC
Pays d'origine
China
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 28,93
€ 28,93 Each (hors TVA)
1
€ 28,93
€ 28,93 Each (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 4 | € 28,93 |
| 5+ | € 28,06 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
110 A
Tension Drain Source maximum
900 V
Série
SCT
Type de boîtier
HiP247-4
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Mode de canal
Enrichissement
Matériau du transistor
SiC
Pays d'origine
China
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.