MOSFET N STMicroelectronics 29 A 1200 V Enrichissement, 4 broches SCT AEC-Q101
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
29A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Série
SCT
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum Rds
20mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
167nC
Dissipation de puissance maximum Pd
673W
Température d'utilisation minimale
-55°C
Température d'utilisation maximum
100°C
Normes/homologations
ISO 15552
Standard automobile
AEC-Q101
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€ 1 756,04
€ 58,535 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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Série
SCT
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Through Hole
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Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
167nC
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