Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
29A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Séries
SCT
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum Rds
20mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension maximale de source de la grille Vgs
4.2 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
167nC
Dissipation de puissance maximum Pd
673W
Température de fonctionnement maximale
200°C
Normes/homologations
RoHS
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Paquet de production (Tube)
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
1
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
29A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Séries
SCT
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum Rds
20mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension maximale de source de la grille Vgs
4.2 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
167nC
Dissipation de puissance maximum Pd
673W
Température de fonctionnement maximale
200°C
Normes/homologations
RoHS
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China


