MOSFET STMicroelectronics canal Type N, H2PAK-7 55 A Enrichissement 650 V, 7 broches SCT018H65G3AG

N° de stock RS: 215-225Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: SCT018H65G3AG
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Documents techniques

Spécifications

Brand

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

55A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

H2PAK-7

Séries

SCT

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

7

Résistance Drain Source maximum Rds

27mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

79.4nC

Dissipation de puissance maximum Pd

385W

Tension maximale de source de la grille Vgs

22 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température de fonctionnement maximale

75°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine

China

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€ 22 188,42

€ 22,188 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics canal Type N, H2PAK-7 55 A Enrichissement 650 V, 7 broches SCT018H65G3AG

1000

Disponible en multiples de 1000
1000€ 22 188,42
2000€ 44 376,83
3000€ 66 565,25
4000€ 88 753,67
5000€ 110 942,08
6000€ 133 130,50
7000€ 155 318,92
8000€ 177 507,34
9000€ 199 695,75
10000€ 221 884,17
11000€ 244 072,59
12000€ 266 261,00
13000€ 288 449,42
14000€ 310 637,84
15000€ 332 826,26

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