Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
55A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
H2PAK-7
Séries
SCT
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
7
Résistance Drain Source maximum Rds
27mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
79.4nC
Dissipation de puissance maximum Pd
385W
Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Température maximale d'utilisation
75°C
Normes/homologations
RoHS
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 16,20
€ 16,20 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 16,20
€ 16,20 Each (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 16,20 |
| 10 - 99 | € 14,59 |
| 100+ | € 13,44 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
55A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
H2PAK-7
Séries
SCT
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
7
Résistance Drain Source maximum Rds
27mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
79.4nC
Dissipation de puissance maximum Pd
385W
Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Température maximale d'utilisation
75°C
Normes/homologations
RoHS
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China


