MOSFET STMicroelectronics canal Type N, H2PAK-7 55 A Enrichissement 650 V, 7 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
55A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
H2PAK-7
Série
SCT
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
7
Résistance Drain Source maximum Rds
27mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
79.4nC
Dissipation de puissance maximum Pd
385W
Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Température d'utilisation maximum
75°C
Normes/homologations
RoHS
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Paquet de production (Bobine)
1
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
79.4nC
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