Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
54,9 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Type de boîtier
HiP247-4
Série
SCT
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
4
Mode de canal
Enrichissement
Matériau du transistor
SiC
Pays d'origine
China
€ 31,40
€ 31,40 Each (hors TVA)
MOSFET STMicroelectronics canal N, HiP247-4 55 A 650 V, 4 broches
1
€ 31,40
€ 31,40 Each (hors TVA)
MOSFET STMicroelectronics canal N, HiP247-4 55 A 650 V, 4 broches
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 4 | € 31,40 |
| 5+ | € 30,47 |
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Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
54,9 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Type de boîtier
HiP247-4
Série
SCT
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
4
Mode de canal
Enrichissement
Matériau du transistor
SiC
Pays d'origine
China


