MOSFET de puissance STMicroelectronics canal Canal N, HIP-247-3 55 A Enrichissement 650 V, 3 broches SCT018W65G3AG
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
Power MOSFET
Type de canal
N channel
Courant continu de Drain maximum Id
55A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
HIP-247-3
Séries
SCT
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
27mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
398W
Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
76nC
Tension directe Vf
2.6V
Température d'utilisation maximum
200°C
Largeur
5.15 mm
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
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€ 15,03
€ 15,03 Each (hors TVA)
1
€ 15,03
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1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 4 | € 15,03 |
| 5+ | € 14,57 |
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HIP-247-3
Séries
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3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
398W
Tension maximale de source de la grille Vgs
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
76nC
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